Disgrifiad

Anfon ymchwiliad

Tâp gludiog silicon

Ddisgrifiad

Mae tâp gludiog silicon haul yn cael ei beiriannu'n ofalus i rwymo ac uno papurau, ffilmiau, ac ystod eang o arwynebau heriol i lafar yn ddiogel, gan gynnwys y rhai sy'n cynnwys plastigau egni arwyneb uchel, metelau a deunyddiau eraill sy'n aml yn gwrthsefyll toddiannau gludiog traddodiadol. Mae ei lunio datblygedig yn sicrhau bondio cadarn a dibynadwy, hyd yn oed o dan amodau a allai gyfaddawdu ar berfformiad tapiau safonol.

Un o briodoleddau nodedig tâp gludiog silicon haul yw ei rinweddau ymwrthedd cemegol a lleithder trawiadol. Mae'r tâp hwn wedi'i gynllunio i wrthsefyll amlygiad i sbectrwm eang o gemegau llym a chyflyrau lleithder, gan gynnal ei gyfanrwydd gludiog a'i berfformiad dros amser. Mae hyn yn ei gwneud yn ddewis rhagorol ar gyfer cymwysiadau sy'n gofyn am wydnwch a gwytnwch tymor hir yn erbyn ffactorau amgylcheddol.

Mae'r glud silicon a ddefnyddir mewn tâp gludiog silicon haul yn chwarae rhan hanfodol wrth sicrhau bod y papur rhyddhau silicon yn aros yn gadarn yn ei le. Mae'r glud hwn yn cael ei lunio i ddarparu bond cryf a diogel, gan atal unrhyw symud neu symud y papur rhyddhau silicon, hyd yn oed o dan amodau straen uchel neu amrywiadau tymheredd.

Nghais

1.has yn cysgodi tymheredd uchel.
2.Bundling a sicrhau cydrannau sy'n agored i dymheredd uchel (switshis thermol).
3. INSULATION ELECTRICAL O GOIRS, TROSGLWYDDWYR, GWAIR A CEBLES AR GYFER CEISIADAU DOSBARTH H (180 gradd).

Manteision

1. Mae cefnogaeth cryfder uchel yn darparu pwniad uwch, ymwrthedd rhwygo a sgrafelliad.
Inswleiddio trydanol tenau 2.Excellent.
3.Hease da ymwrthedd i'r mwyafrif o alcoholau, esterau, cetonau ac olewau.
4.Removes yn lân ac mewn un darn ar ôl bod yn agored i dymheredd uchel.

Data technegol

Eitemau	Data
Trwch ffilm	13 µm
Cyfanswm y trwch	90 µm
Gwrthiant tymheredd	-70 ~ 280 gradd
Defnyddio tymor byr hyd at dymheredd	5/16"-24
Cryfder adlyniad	30 oz/yn
Math o ludiog	silicon